N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
时）
• 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
时）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86255	量产-ROHS：截至2012年12月	$1.26

• MMBTA06 - NPN通用放大器
• FAN3180 - TTL 输入、单通道同相输出、2.8 A 峰值灌电流、2.5 A 源电流及 3.3 V LDO 低端栅极驱动器
• GBPC1506 - 15 A 桥式整流器
• FDPF16N50T - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，16A，380 mΩ
• FFH30S60S - 30 A、600 V STEALTH II 代二极管
• 74LVTH125 - 低压四路缓冲器（带3态输出）
• FPF1016 - IntelliMAX 1V额定高级负载管理产品
• RFD3055LESM - 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET
• FPF2281 - 过压保护负载开关
• 1N5227B - 3.6V、0.5W齐纳二极管