N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 12.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
时）
• 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 8 A
时）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装组合
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86255	量产-ROHS：截至2012年12月	$1.26

• FSHDMI08 - 宽带宽差分信号HDMI开关
• FAN5403 - 符合USB规范的单体锂离子开关充电器（带USB-OTG升压调节器）
• NC7SV08 - TinyLogic ULP-A 2 输入与门
• BZX85C8V2 - 8.2V、1W齐纳二极管
• TIL117M - 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器
• 1N5240B - 10V、0.5W齐纳二极管
• FT7511 - 带固定延迟和复位脉冲的复位定时器
• FST16861 - 20位总线开关
• FQI8N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω
• FGH40T65SH - 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT