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Fairchild产品 - FQI8N60C介绍

FQI8N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω

FQI8N60C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQI8N60C是N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω，本站介绍了FQI8N60C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQI8N60C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQI8N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQI8N60C - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQI8N60C - 产品特性
  • 7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC)
  • 低 Crss（典型值12pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQI8N60C - 产品应用

    • 照明

    以下列出了FQI8N60C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQI8N60CTU量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.9711
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