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Fairchild产品 - FQB10N50CFTM介绍

FQB10N50CFTM - N 沟道 QFET FRFETMOSFET

FQB10N50CFTM是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB10N50CFTM是N 沟道 QFET FRFETMOSFET，本站介绍了FQB10N50CFTM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB10N50CFTM相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB10N50CFTM - N 沟道 QFET FRFETMOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB10N50CFTM - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQB10N50CFTM - 产品特性
  • 10 A、500 V、RDS(on) = 610 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 5 A）栅极电荷低（典型值： 45 nC）
  • 低 Crss（典型值 17.5 pF）
  • 100%经过雪崩击穿测试
  • 快速恢复体二极管
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB10N50CFTM - 产品应用
    以下列出了FQB10N50CFTM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB10N50CFTM_WS量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.43
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