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Fairchild产品 - FDN306P介绍

FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET

FDN306P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN306P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN306P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN306P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN306P - 产品描述

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDN306P - 产品特性
  • -2.6 A，-12 V
  • RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT-3提供低RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN306P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN306P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN306P量产-ROHS：截至2011年12月$0.319
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