SuperSOT-3N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑、手提电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中提供快速开关和低线路内功率损耗。

• 2.2 A，30 V，RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.082 Ω @ VGS = 2.5 V。
• 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOT-3设计，具有优异的热性能和电气性能。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDN337N	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.88

• SGL160N60UFD - 600V，5A 短路定额 IGBT
• 74LVT16374 - 低压16位D型触发器（带3态输出）
• FQP4P40 - P 沟道 QFET MOSFET -400 V、-3.5 A、3.1Ω
• EGP30K - 3.0A快速恢复整流器
• FDP030N06B_F102 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mΩ
• FCP13N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 13A, 258mΩ
• BC63916 - NPN中等功率晶体管
• FDMS86322 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET
• FDC655BN - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET
• 1V5KE24CA - 1500W瞬态电压抑制二极管