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Fairchild产品 - FDN342P介绍
FDN342P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET

FDN342P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDN342P是P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDN342P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDN342P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDN342P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDN342P - 产品描述

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对栅极驱动电压范围(2.5V12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

FDN342P - 产品特性
  • -2 A,-20 V。 RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = -4.5 V,RDS(ON) = 0.13 Ω @ VGS = -2.5 V。
  • 扩展了VGSS范围(±12V),适合电池应用。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
  • 增强功率SuperSOT-3 (SOT-23)。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDN342P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN342P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN342P量产-ROHS:截至2011年12月$0.276
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