此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对栅极驱动电压范围(2.5V12V)广泛的电源管理应用进行了优化。

• -2 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 0.13 Ω @ VGS = -2.5 V。
• 扩展了VGSS范围(±12V)，适合电池应用。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
• 增强功率SuperSOT-3 (SOT-23)。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDN342P	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.276

• MB4S - 0.5A整流桥
• FSQ110 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FCD3400N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• FDA28N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，28A，155mΩ
• FAN6982 - 先进的 CCM PFC 控制器、PFC-就绪信号、欠压保护、可编程 2 级输出电压
• FGH40T120SMD - 1200 V、40 A 场截止沟道 IGBT
• FJL4215 - PNP外延硅晶体管
• FIN1031 - 3.3V LVDS 4位高速差分驱动器
• FSB50250A - Motion SPM 5 系列
• FGH40T65SPD - 650V，40A 场截止沟道 IGBT