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Fairchild产品 - FDN352AP介绍

FDN352AP - -30V单P沟道Trench MOSFET

FDN352AP是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN352AP是-30V单P沟道Trench MOSFET，本站介绍了FDN352AP的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN352AP相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN352AP - -30V单P沟道Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN352AP - 产品描述

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要在很小尺寸的表面贴装封装中实现低线内功率损耗的低电压和电池供电应用。

FDN352AP - 产品特性
  • -1.3A，-30V
  • RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = -10V
  • -1.1A，-30V
  • RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = -4.5V
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN352AP - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN352AP相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN352AP量产-ROHS：截至2011年12月$0.209
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