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Fairchild产品 - FDN359AN介绍

FDN359AN - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET

FDN359AN是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN359AN是30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN359AN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN359AN相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN359AN - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN359AN - 产品描述

此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

FDN359AN - 产品特性
  • 2.7 A，30 V。 RDS(ON) = 0.046 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.060 Ω @ VGS = 4.5 V。
  • 极快速开关
  • 开关速度快。
  • 低栅极电荷（典型值5 nC）。
  • 高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23插脚引线高出30%的功率处理能力。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN359AN - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN359AN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN359AN量产-ROHS：截至2011年12月$0.783
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