N沟道MOSFET采用飞兆的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的rDS(on)、开关性能和耐用性。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 116 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2.6 A
）
• 最大 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A
）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 快速开关速度
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDN86501LZ	量产-ROHS：截至2014年12月	$0.4413

• 74LCX38 - 低压四路2输入与非门（5V容许输入和输出电压）
• FJPF13009 - NPN芯片晶体管
• LM337 - 3端1.5A负可调式稳压器
• FSD176MRT - 具有异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 70 W 离线反激式转换器
• 2N7002MTF - 60V N沟道小信号MOSFET
• FDMS86105 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
• FSB619 - NPN低饱和晶体管
• H11AG1M - 6引脚DIP光电晶体管输出光电耦合器
• 1N4148WT - 小信号二极管
• FDMA2002NZ - 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET