UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于先进平面条形和DMOS技术。该先进MOSFET系列在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 770mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 4A
• 低栅极电荷（典型值 14nC）
• 低 Crss（典型值 5pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDP8N50NZ	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.8568

• FDMA86265P - -150 P 沟道 PowerTrench MOSFET
• 74LCX16501 - 18位通用总线收发器，带5V容差输入和输出
• FDPF5N50UT - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 500V，4A，2Ω
• KSE13003 - NPN芯片晶体管
• NZT902 - NZT902 NPN低饱和晶体管
• FDMC86139P - -100 V P 沟道 PowerTrench MOSFET
• FDD7N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 5.5A, 1.25Ω
• FAN6100HM - 次级端恒压和恒流控制器，兼容MediaTek Pump ExpressTM Plus
• FQB9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ
• FJX1182 - PNP外延硅晶体管