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FQB9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ
FQB9P25是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQB9P25是P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ，本站介绍了FQB9P25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB9P25相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQB9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQB9P25 - 产品描述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关DC/DC转换器。
FQB9P25 - 产品特性
- -9.4 A、-250 V、RDS(on) = 620 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -4.7 A
- 低栅极电荷（典型值 29 nC)
- 低 Crss（典型值 27 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQB9P25 - 产品应用
以下列出了FQB9P25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQB9P25TM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.08 |
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