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Fairchild产品 - FQB9P25介绍

FQB9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ

FQB9P25是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB9P25是P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ，本站介绍了FQB9P25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB9P25相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB9P25 - 产品描述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关DC/DC转换器。

FQB9P25 - 产品特性
  • -9.4 A、-250 V、RDS(on) = 620 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -4.7 A
  • 低栅极电荷（典型值 29 nC)
  • 低 Crss（典型值 27 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB9P25 - 产品应用
    以下列出了FQB9P25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB9P25TM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.08
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