UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETUltraFRFETTMMOSFET具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 370mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 7.5A栅极电荷低（典型值：32nC)
• 低 Crss（典型值20pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPF16N50UT	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.58

• FQI8N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω
• KSB1015 - PNP外延硅晶体管
• FL3100T - 带有 LED PWM 调光控制器的低侧栅极驱动器可实现智能 LED 照明
• 74LVTH244 - 低压八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• MMBTA06 - NPN通用放大器
• FPF2201 - 具有500mA高精度限流的集成式负载开关
• FCPF400N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• BAS29 - 通用高电压二极管
• KSC5026M - NPN芯片晶体管
• FSA8029 - 带MIC/视频开关的自动插孔发送/结束检测