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Fairchild产品 - FDS4435BZ介绍

FDS4435BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET

FDS4435BZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS4435BZ是-30V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS4435BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS4435BZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS4435BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS4435BZ - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FDS4435BZ - 产品特性
  • 最大rDS(on) = 20mΩ（VGS = 10V且ID = 8.8A时）
  • 最大rDS(on) = 35mΩ（VGS = 4.5V且ID = 6.7A时）
  • 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
  • HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 终端是符合RoHS标准的无铅产品
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS4435BZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDS4435BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS4435BZ量产-ROHS：截至2015年1月$0.329
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