FQP12N60C - N 沟道 QFET MOSFET

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

• 12 A、600 V、RDS(on) = 650 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 6 A
• 低栅极电荷（典型值 48 nC)
• 低 Crss（典型值 21 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

• FGH20N60SF_F085 - 600 V、20 A、1.9 V、TO-247场截止 IGBT
• FDMA1027P - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET
• FPF2026 - 具有100mA限流值的全功能负载开关
• FSA8009 - 带MIC/视频开关的自动插孔发送/结束检测
• FDS8638 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
• FT7522 - 带固定延迟和复位脉冲的复位定时器
• PCHG2N120W - 1200 V NPT IGBT
• FSL106MR - 频率为 67 kHz，具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 8 W 离线反激式转换器
• FDS8884 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• FQD3N60CTM_WS - N 沟道 QFET MOSFET 600V，2.4A，3.4Ω