该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。

与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• 6.9 A，30 V
• RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V
• 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
• 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS4935BZ	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.449

• BCP53 - PNP通用放大器
• FDS6570A - 单N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
• FSL126HR - 频率为 100 kHz 且具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 17 W 离线反激式转换器
• P6KE220A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDB8832_F085 - 30 V、80 A、1.5 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench
• FDMF6705 - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• FDS6699S - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
• FDMB3900AN - 25 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET
• 74LVX125 - 低压四路缓冲器（带3态输出）
• 74VHCT244A - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）