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Fairchild产品 - FDS4935BZ介绍

FDS4935BZ - -30V双P沟道PowerTrench MOSFET

FDS4935BZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS4935BZ是-30V双P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS4935BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS4935BZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS4935BZ - -30V双P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS4935BZ - 产品描述

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。

与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

FDS4935BZ - 产品特性
  • 6.9 A，30 V
  • RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V
  • 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
  • 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS4935BZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDS4935BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS4935BZ量产-ROHS：截至2015年1月$0.449
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