此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和高速开关进行了优化。

• RDS(ON) = 10mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 12A
• RDS(ON) = 14mΩ（典型值），VGS = 6V，ID = 10A
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
• 低栅极电荷
• 高功率和高电流处理能力

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS5672	量产-ROHS：截至2014年10月	$1.42

• MM3Z27VB - 27.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
• RHRG1560_F085 - 600 V、15 A、1.86 V、TO-247（2 引脚）超高速二极管
• FGH40N60SFD - 600V，40A，场截止 IGBT
• KST2907A - PNP外延硅晶体管
• FQD18N20V2 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 15A, 140mΩ
• FDPF5N50NZF - N 沟道 UniFET II FRFET MOSFET 500V，4.2A，1.75Ω
• FSTU32160 - 具有 -2V 欠冲保护的 16 位至 32 位复用器/解复用器总线开关
• FCP22N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
• H11L3M - 6引脚DIP施密特触发器输出光电耦合器
• RFD14N05LSM - 50V、14A、100mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET