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Fairchild产品 - FDS86252介绍

FDS86252 - 150V N沟道Power Trench MOSFET

FDS86252是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS86252是150V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDS86252的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS86252相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS86252 - 150V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS86252 - 产品描述

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

FDS86252 - 产品特性
  • VGS = 10 V且ID = 4.5A时，最大rDS(on) = 55 mΩ
  • VGS = 6 V且ID = 3.7A时，最大rDS(on) = 80 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS86252 - 产品应用

    • 消费型设备

    以下列出了FDS86252相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS86252量产-ROHS：截至2014年5月$0.8
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