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Fairchild产品 - FDMS86200介绍

FDMS86200 - 150V N沟道Power Trench MOSFET

FDMS86200是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86200是150V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMS86200的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86200相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86200 - 150V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86200 - 产品描述

这款N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

FDMS86200 - 产品特性
  • 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  • VGS = 10V，ID = 9.6A时，最大rDS(on) = 18mΩ
  • VGS = 6V，ID = 8.8A时，最大rDS(on) = 21mΩ
  • 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86200 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMS86200相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86200量产-ROHS：截至2010年1月$0.986
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