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Fairchild产品 - HGTG30N60C3D介绍

HGTG30N60C3D - 600V, PT IGBT

HGTG30N60C3D是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG30N60C3D是600V, PT IGBT，本站介绍了HGTG30N60C3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG30N60C3D相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGTG30N60C3D - 600V, PT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGTG30N60C3D - 产品描述
不推荐新设计使用截至2009年12月07日

HGTG30N60C3D是一款MOS门控高压开关器件，它充分融合了MOSFET和双极晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。非常低的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。使用的IGBT是开发类型TA49051。反向并联IGBT使用的二极管是开发类型TA49053。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49014。

HGTG30N60C3D - 产品特性
  • 63A, 600V, TC = 25°C
  • 典型下降时间： 230ns @ TJ = 150°C
  • 短路额定值
  • 低导通损耗
  • 超快反向并联二极管
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTG30N60C3D - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了HGTG30N60C3D相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTG30N60C3D不推荐新设计使用截至2009年12月07日-ROHS：截至2013年8月FGA30N65SMDHGTG30N60C3D
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