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Fairchild产品 - MTD3055V介绍

MTD3055V - N沟道增强模型场效应晶体管

MTD3055V是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，MTD3055V是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了MTD3055V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与MTD3055V相关的Fairchild元器件型号供参考。

MTD3055V - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

MTD3055V - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

MTD3055V - 产品特性
  • 12 A，60 V。 RDS(ON) = 0.15 Ω @ VGS= 10 V
  • 低栅极电荷。
  • 开关速度快。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • MTD3055V - 产品应用

    • 配电

    以下列出了MTD3055V相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    MTD3055V量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.39
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