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MTD3055V技术文档下载：
MTD3055V - N沟道增强模型场效应晶体管
MTD3055V是Fairchild公司的一款MOSFET产品，MTD3055V是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了MTD3055V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与MTD3055V相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
MTD3055V - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
MTD3055V - 产品描述
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
MTD3055V - 产品特性
- 12 A，60 V。 RDS(ON) = 0.15 Ω @ VGS= 10 V
- 低栅极电荷。
- 开关速度快。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
MTD3055V - 产品应用
- 配电
以下列出了MTD3055V相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| MTD3055V | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.39 |
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