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Fairchild产品 - FDS86267P介绍

FDS86267P - P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET

FDS86267P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS86267P是P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS86267P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS86267P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS86267P - P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS86267P - 产品描述

本P沟道MOSFET采用飞兆的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺针对通态电阻优化，可保持卓越开关性能。

FDS86267P - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on) = 255 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.2 A
    • ）
  • 最大 rDS(on) = 290 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2 A
    • ）
  • 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  • 本品已针对需要快速开关和负载开关的应用进行了优化
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS86267P - 产品应用
    以下列出了FDS86267P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS86267P量产-ROHS：截至2015年1月$0.5935
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