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FDS86267P - P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET
FDS86267P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS86267P是P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS86267P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS86267P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS86267P - P 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS86267P - 产品描述
本P沟道MOSFET采用飞兆的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺针对通态电阻优化，可保持卓越开关性能。
FDS86267P - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大 rDS(on) = 255 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.2 A ）
- 最大 rDS(on) = 290 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2 A ）
- 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
- 本品已针对需要快速开关和负载开关的应用进行了优化
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合RoHS标准
FDS86267P - 产品应用
以下列出了FDS86267P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS86267P | 量产-ROHS：截至2015年1月 | $0.5935 |
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