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Fairchild产品 - FDS89141介绍

FDS89141 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDS89141是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS89141是100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS89141的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS89141相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS89141 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS89141 - 产品描述

本N沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺制造，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。

FDS89141 - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • VGS = 10 V，ID = 3.5 A时，最大rDS(on) = 62 mΩ
  • VGS = 6 V，ID = 2.8 A时，最大rDS(on) = 100 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS89141 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDS89141相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS89141量产-ROHS：截至2015年12月$0.67
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