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NDS331N技术文档下载：
NDS331N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
NDS331N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDS331N是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS331N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS331N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDS331N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDS331N - 产品描述
这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。
NDS331N - 产品特性
- 1.3 A，20 V。 RDS(ON) = 0.21 Ω @ VGS = 2.7 V RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V
- 采用专有SuperSOT-3技术设计的工业标准SOT-23表面贴装封装，可实现卓越的热性能和电气性能
- 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
NDS331N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDS331N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDS331N | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.191 |
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