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FDS8958B - 30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET
FDS8958B是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS8958B是30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS8958B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS8958B相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS8958B - 30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS8958B - 产品描述
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FDS8958B - 产品特性
Q1： N沟道 - 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.4A ）
- 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.2A
- 最大值 RDS(on) = 51mΩ（VGS = 10V，ID = 4.5A ）
- 最大值 RDS(on) = 80mΩ（VGS = 4.5V，ID = 3.3A ）
- HBM静电放电保护等级为>3.5 kV
- 符合RoHS标准
FDS8958B - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDS8958B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS8958B | 量产-ROHS：截至2015年1月 | $0.305 |
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