这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.4A
）
• 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.2A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 51mΩ（VGS = 10V，ID = 4.5A
）
• 最大值 RDS(on) = 80mΩ（VGS = 4.5V，ID = 3.3A
）
• HBM静电放电保护等级为>3.5 kV
• 符合RoHS标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS8958B	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.305

• FQP9N50C - N 沟道 QFETMOSFET 500 V、9 A、800 mΩ
• FQU2N90TU_AM002 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
• FDD4685 - -40V P沟道PowerTrench MOSFET
• KA7912A - 三端 1 A 负压稳压器
• FDMS3622S - 25V PowerTrench功率级25V非对称双N沟道MOSFET
• TIP32 - PNP外延硅晶体管
• 74ALVC16245 - 带3.6V容差输入和输出的低电压16位双向收发器
• FDMS9411_F085 - 40 V、30 A、6.3 mΩ、Power56N 沟道 PowerTrench
• RFD16N05SM - 50V、16A、47mΩ、N沟道Power MOSFET
• HUF75639P3 - 100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET