仙童半导体官网，Fairchild代理商
Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
专营Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）现货供应链服务
当前位置：仙童半导体代理 > > 仙童半导体芯片 >> FDS8958B
FDS8958B技术文档下载：
FDS8958B技术文档产品手册下载
Fairchild仙童半导体芯片：
承诺原装正品
专营Fairchild仙童半导体，真正优化您的供应链
Fairchild产品 - FDS8958B介绍

FDS8958B - 30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET

FDS8958B是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDS8958B是30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS8958B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS8958B相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDS8958B - 30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDS8958B - 产品描述

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

FDS8958B - 产品特性
Q1： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 26mΩ（VGS = 10V，ID = 6.4A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.2A
）Q2： P沟道
  • 最大值 RDS(on) = 51mΩ（VGS = 10V，ID = 4.5A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 80mΩ（VGS = 4.5V，ID = 3.3A
    • ）
  • HBM静电放电保护等级为>3.5 kV
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS8958B - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDS8958B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS8958B量产-ROHS：截至2015年1月$0.305
    下面可能是您感兴趣的仙童半导体公司MOSFET元器件
    节约时间成本，提高采购效率，Fairchild官网授权代理
    Fairchild公司|Fairchild仙童半导体|ONSEMI安森美中国代理商
    Fairchild公司产品现货专家，订购仙童半导体公司产品不限最低起订量，ONSEMI安森美产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
    寻找全球Fairchild代理商现货货源 - Fairchild公司（ONSEMI安森美）电子元件在线订购