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Fairchild产品 - FQP9N50C介绍

FQP9N50C - N 沟道 QFETMOSFET 500 V、9 A、800 mΩ

FQP9N50C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQP9N50C是N 沟道 QFETMOSFET 500 V、9 A、800 mΩ，本站介绍了FQP9N50C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP9N50C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQP9N50C - N 沟道 QFETMOSFET 500 V、9 A、800 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQP9N50C - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

FQP9N50C - 产品特性
  • 9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
  • 低栅极电荷（典型值 28 nC)
  • 低 Crss（典型值 24 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQP9N50C - 产品应用

    • AC-DC商用电源-有线通信
    • DC-DC商用电源
    • EMS
    • LCD电视
    • LED电视
    • 台式计算机
    • 消费型设备
    • 配电

    以下列出了FQP9N50C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQP9N50C不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日FDP8N50NZ
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