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FDT457N - N沟道增强模型场效应晶体管
FDT457N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDT457N是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了FDT457N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDT457N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDT457N - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDT457N - 产品描述
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。此类产品非常适合低电压、低电流应用，例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。
FDT457N - 产品特性
- 5 A，30 V。 RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V
- 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
FDT457N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDT457N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| PCF457NW | 量产（特殊订单）-ROHS | 不适用 |
| FDT457N | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.68 |
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