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Fairchild产品 - FDT86113LZ介绍

FDT86113LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。

FDT86113LZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDT86113LZ是100V N沟道PowerTrench MOSFET。，本站介绍了FDT86113LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDT86113LZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDT86113LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDT86113LZ - 产品描述

这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

FDT86113LZ - 产品特性
  • VGS = 10 V且ID = 3.3A时，最大rDS(on) = 100 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大值rDS(on) = 145 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
  • HBM静电放电保护等级为>3 KV，典型值（注4）
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDT86113LZ - 产品应用

    • 消费型设备

    以下列出了FDT86113LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDT86113LZ量产-ROHS：截至2011年5月$0.203
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