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FDU6N25技术文档下载：
FDU6N25 - N 沟道 UniFET MOSFET
FDU6N25是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDU6N25是N 沟道 UniFET MOSFET，本站介绍了FDU6N25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDU6N25相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDU6N25 - N 沟道 UniFET MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDU6N25 - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDU6N25 - 产品特性
- RDS(on) = 1.1 Ω（最大值），需 VGS = 10 V 且 ID = 2.2 A
- 低栅极电荷（典型值 4.5 nC）
- 低 Crss（典型值5 pF)
- 100% 经过雪崩测试
FDU6N25 - 产品应用
以下列出了FDU6N25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDU6N25 | 量产-ROHS：截至2013年3月 | $0.2999 |
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