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Fairchild产品 - FDU6N25介绍

FDU6N25 - N 沟道 UniFET MOSFET

FDU6N25是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDU6N25是N 沟道 UniFET MOSFET，本站介绍了FDU6N25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDU6N25相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDU6N25 - N 沟道 UniFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDU6N25 - 产品描述

UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDU6N25 - 产品特性
  • RDS(on) = 1.1 Ω（最大值），需 VGS = 10 V 且 ID = 2.2 A
  • 低栅极电荷（典型值 4.5 nC）
  • 低 Crss（典型值5 pF)
  • 100% 经过雪崩测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDU6N25 - 产品应用
    以下列出了FDU6N25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDU6N25量产-ROHS：截至2013年3月$0.2999
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