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    Fairchild产品 - FGH75T65SHDT介绍
    FGH75T65SHDT - 650 V、75 A 场截止沟道 IGBT

    FGH75T65SHDT是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，FGH75T65SHDT是650 V、75 A 场截止沟道 IGBT，本站介绍了FGH75T65SHDT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FGH75T65SHDT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FGH75T65SHDT - 650 V、75 A 场截止沟道 IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）

    FGH75T65SHDT - 产品描述

    Fairchild的场截止第三代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

    FGH75T65SHDT - 产品特性
    • 最大结温： TJ = 175°C
    • 正温度系数，易于并联运行
    • 高电流能力
    • 低饱和电压： VCE(sat)= 1.6 V（典型值） @ IC = 75 A
    • ILM(1) 部件 100% 检测
    • 高输入阻抗
    • 快速开关
    • 紧密的参数分布
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FGH75T65SHDT - 产品应用
    以下列出了FGH75T65SHDT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FGH75T65SHDT_F155量产-ROHS：截至2015年4月不适用
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