
FGH75T65SHDT技术文档下载:
Fairchild仙童半导体芯片:
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FGH75T65SHDT - 650 V、75 A 场截止沟道 IGBT
FGH75T65SHDT是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品,FGH75T65SHDT是650 V、75 A 场截止沟道 IGBT,本站介绍了FGH75T65SHDT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FGH75T65SHDT相关的Fairchild元器件型号供参考。
FGH75T65SHDT - 650 V、75 A 场截止沟道 IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体
FGH75T65SHDT - 产品描述
Fairchild的场截止第三代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
FGH75T65SHDT - 产品特性
- 最大结温: TJ = 175°C
- 正温度系数,易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压: VCE(sat)= 1.6 V(典型值) @ IC = 75 A
- ILM(1) 部件 100% 检测
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
FGH75T65SHDT - 产品应用
以下列出了FGH75T65SHDT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FGH75T65SHDT_F155 | 量产-ROHS:截至2015年4月 | 不适用 |
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