FJBE2150D是一个低成本、高性能的功率开关，设计用于以下应用中的ESBC配置：电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。功率开关可在高达1500V的电压和3A的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。

ESBC开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。ESBCMOSFET是将低输入电容和快速开关整合在一起的低电压、低成本表面贴装器件。由于没有米勒电容，ESBC配置可进一步最小化所需驱动电源。

FJBE2150D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态dv/dt故障。

该功率开关采用专用的高压双极工艺制造，并以额定值为2500V的爬电和间隙密封于高压HV-D2PAK封装中。

• 等效低导通电阻
• 超快开关： 150 kHz
• 平方 RBSOA： 高达 1500 V
• 雪崩额定值
• 低驱动电容，无米勒电容 200V 时 12 pF 电容）
• 低开关损耗
• 可靠的高电压开关： 因其具有高 dv/dt 瞬变能力，可实现无误触发。

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FJBE2150DTU	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.7

• ES1F - 1.0A快速恢复整流器
• FSA221 - 具有负信号能力的多媒体和USB 2.0高速与音频开关
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• KSD2012 - NPN外延硅晶体管
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• FFPF20UP40S - 20 A、400 V 超快速二极管