FPAB20BH60B属于PFCSPM3系列的改进型，针对消费电子、医疗电子和工业应用提供全功能、高性能升压PFC（功率因数校正）输入功率电路。本型号内建IGBT优化栅极驱动，最大限度降低了电磁辐射和损耗，同时还提供多项自带保护特性，包括欠压闭锁、过流关断、热监控和故障报告。本型号还包含全波整流器和高性能输出二极管，能够节省更多的空间，便于安装。

• UL 认证号 E209204 (UL1557)
• 包含积分栅极驱动器和保护功能的 600 V - 20 A 单相升压 PFC
• 使用 Al2O3陶瓷基质实现极低热阻
• 全波桥式整流器和高性能输出二极管
• 内置 NTC 热敏电阻，实现温度监控
• 优化实现 20 kHz 开关频率
• 绝缘等级： 2500 Vrms（最小）

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 运动控制-家用设备/工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FPAB20BH60B	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$12.43

• HUF76609D3S - 100V、10A、165mΩ、N沟道逻辑电平UltraFET Power MOSFET
• FSB50550AT - Motion SPM 5 系列
• FDY4000CZ - 20V互补N和P沟道PowerTrench MOSFET
• FDP025N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mΩ
• BD135 - NPN外延硅晶体管
• FJPF13009 - NPN芯片晶体管
• BAS16HT1G - 小信号二极管
• BCX70G - NPN外延硅晶体管
• BZX84C11 - 11V、0.35W齐纳二极管
• FDD8424H_F085A - 40 V/-40 V、26/-20 A、24/54 mΩ、DPAK（4 引脚）N 沟道和 P 沟道 PowerTrench