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Fairchild产品 - FQB4N80介绍

FQB4N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω

FQB4N80是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB4N80是N 沟道 QFET MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω，本站介绍了FQB4N80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB4N80相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB4N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB4N80 - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQB4N80 - 产品特性
  • 3.9A, 800V, RDS(on) = 3.6Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.95A栅极电荷低（典型值：19nC)
  • 低 Crss（典型值8.6pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB4N80 - 产品应用

    • 照明

    以下列出了FQB4N80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB4N80TM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.9711
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