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Fairchild产品 - FQB6N40C介绍

FQB6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω

FQB6N40C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB6N40C是N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω，本站介绍了FQB6N40C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB6N40C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB6N40C - N 沟道 QFET MOSFET 400 V、6 A、1.0 Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB6N40C - 产品描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

FQB6N40C - 产品特性
  • 6 A、400 V、RDS(on) = 1.0 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 3 A
  • 低栅极电荷（典型值 16 nC）
  • 低 Crss（典型值 15 pF）
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB6N40C - 产品应用
    以下列出了FQB6N40C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB6N40CTM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.7569
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