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FQD11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ
FQD11P06是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQD11P06是P 沟道 QFET MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ，本站介绍了FQD11P06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD11P06相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQD11P06 - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQD11P06 - 产品特性
- -9.4A, -60V, RDS(on) = 185mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -4.7A栅极电荷低（典型值：13nC)
- 低 Crss（典型值45pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQD11P06 - 产品应用
- LCD电视
- LED电视
以下列出了FQD11P06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQD11P06TM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.3913 |
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