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FQP4N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200 V、3.8 A、1.35 Ω
FQP4N20L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQP4N20L是N 沟道 QFET MOSFET 200 V、3.8 A、1.35 Ω，本站介绍了FQP4N20L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP4N20L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP4N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200 V、3.8 A、1.35 Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQP4N20L - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供的卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关DC/DC转换器、开关模式电源、电机控制。
FQP4N20L - 产品特性
- 3.8 A、200 V、RDS(on) = 1.35 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 1.9 A
- 低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
- 低 Crss（典型值 6.0 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQP4N20L - 产品应用
以下列出了FQP4N20L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQP4N20L | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.4056 |
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