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FQD8P10TM_F085 - -100 V、-6.6 A、530 mΩ、DPAKP 沟道 QFET
FQD8P10TM_F085是Fairchild公司的一款车用P沟道MOSFET产品，FQD8P10TM_F085是-100 V、-6.6 A、530 mΩ、DPAKP 沟道 QFET，本站介绍了FQD8P10TM_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD8P10TM_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD8P10TM_F085 - -100 V、-6.6 A、530 mΩ、DPAKP 沟道 QFET - 车用P沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FQD8P10TM_F085 - 产品描述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
FQD8P10TM_F085 - 产品特性
- 6.6 A、-100 V、RDS(on) = 0.53O (VGS = -10 V)
- 低栅极电荷（典型值12 nC）
- 低Crss（典型值30pF）
- 快速开关
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FQD8P10TM_F085 - 产品应用
- 传动系
以下列出了FQD8P10TM_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQD8P10TM_F085 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.3139 |
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