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FQPF3N25 - N 沟道 QFETMOSFET 250 V、2.3 A、2.2 Ω
FQPF3N25是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQPF3N25是N 沟道 QFETMOSFET 250 V、2.3 A、2.2 Ω，本站介绍了FQPF3N25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQPF3N25相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQPF3N25 - N 沟道 QFETMOSFET 250 V、2.3 A、2.2 Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQPF3N25 - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适用于高效开关DC/DC转换器和开关电源应用。
FQPF3N25 - 产品特性
- 2.3 A、250 V、RDS(on) = 2.2 Ω（最大值）@VGS = 10 V、ID = 1.15 A
- 低栅极电荷（典型值 4.0 nC)
- 低 Crss（典型值 4.7 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQPF3N25 - 产品应用
以下列出了FQPF3N25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQPF3N25 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5427 |
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