FSAM50SM60A是飞兆半导体开发的MotionSPM2系列产品，为低功率应用（如空调）中的交流电机驱动提供非常紧凑、低成本却高性能的逆变器解决方案。它结合了优化后的电路保护功能及与低损耗IGBT相匹配的驱动功能。通过增进的电流感测IGBT实现有效的过流保护内置热敏电阻和集成欠压闭锁保护进一步增强了系统的可靠性。此外，一体化HVIC更便于使用单电源电压，且无任何负偏压。三个独立负直流端子可实现逆变器支路电流感测。

• 通过 UL 认证，编号 E209204
• 600V-50A 三相IGBT 逆变器，内置栅极驱动和功率器件保护用控制IC
• 逆变器电流感测应用所需的三个独立负直流链路端子
• 内置HVIC实现了单接地电源供电
• 开关频率典型值为5kHz
• 温度监控用内置热敏电阻
• 逆变器额定功率为 4.0 kW/100~253 VAC
• 绝缘等级为2500Vrms/min。
• 采用 DBC (Al2O3) 基板实现非常低的热电阻
• 通过改变连接到传感IGBT发射极串联电阻的阻值，可调电流保护级别

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 运动控制-家用设备/工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSAM50SM60A	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$42.56

• FOD260L - 8引脚DIP 10 Mb/s单通道高速3.3V逻辑门输出光耦合器
• FDMC8010 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• FQD11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ
• HUF76129D3 - 30 V、20 A、16 mΩ、N 沟道逻辑电平 UltraFET 功率 MOSFET
• FQPF15P12 - P 沟道 QFET MOSFET -120V，-15A，200mΩ
• NDS8434 - 单P沟道增强模式场效应晶体管
• TIP117 - PNP外延硅达林顿晶体管
• FMS6144A - VoltagePlus 四通道SD和HD视频滤波驱动器
• FST3257 - 四2:1复用器/解复用器总线开关
• MM5Z9V1 - 齐纳二极管