FSB50825US - Motion SPM 5 系列

FSB50825US是先进MotionSPM5系列产品，基于快速恢复MOSFET（FRFET）技术，用作小功率电机驱动应用（如风扇和泵）的紧凑型逆变器解决方案。它由六个FRFETMOSFET产品和三个半桥栅极驱动HVIC组成。FSB50825US具有低电磁干扰(EMI)特性以及优化的开关速度。此外，由于它采用MOSFET作为电源开关，因此，它具有比IGBT功率模块更强的耐用性和更大的安全工作区(SOA)。该封装针对热性能和紧凑性进行了优化，以便用于空间有限的应用。FSB50825US是要求高能效、小型化以及低电磁干扰逆变器的最佳解决方案。

• 250V RDS(on)=0.45Ω （最大值）三相FRFET逆变器 包括高压集成电路 (HVIC)
• 三个独立负直流链路端子，实现逆变器电流感测应用
• HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
• 高电平有效接口，可用于 3.3V/5V 逻辑电平
• 针对低电磁干扰进行优化
• 1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
• 表面贴装器件封装
• 湿度敏感等级(MSL) 3

• 运动控制-家用设备/工业电机

• FAN3227C_F085 - 双通道 2 A 高速，低端栅极驱动器
• FDP050AN06A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V，80A，5mΩ
• FDP12N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，11.5A，650mΩ
• FDB075N15A_F085 - 150 V、110 A、5.5 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
• FYP2006DN - 肖特基势垒整流器
• MMBT4354 - PNP通用放大器
• NDS355N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• FQD4N25 - 250V N沟道MOSFET，QFET
• P6KE180A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FGD3N60UNDF - 600 V，3 A，短路额定 IGBT