FSBB15CH60D是一款先进的MotionSPM3模块，为交流感应、BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT经过优化的栅极驱动，能够最大程度地降低EMI和损耗，同时提供多种模块自带的保护功能，包括欠压闭锁、过流关断、驱动IC的热监控和故障上报。内置的高速HVIC仅需单电源电压即可将接收到的逻辑电平栅极输入转换为所需的高电压、高电流驱动信号，以便合理驱动模块内部的IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位，以支持最广泛的算法控制。

• UL 认证号 E209204 (UL1557)
• 600 V - 15 A 三相 IGBT 逆变器，带积分栅极驱动器和保护功能
• 低功耗、额定短路 IGBT
• 使用 Al2O3陶瓷基质实现极低热阻
• 内置自举二极管和专用 Vs 引脚简化 PCB 布局
• 低侧 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流检测
• 单相接地电源
• LVIC 内置温度感测功能，用于监控温度
• 绝缘等级：2500 Vrms/分

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSBB15CH60D	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	不适用

• FAN7389 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、0.65/0.35 A 灌电流/源电流、3 相半桥式栅极驱动 IC，具有 OCP 和关断保护功能
• FT10001 - 带固定延迟和复位脉冲的复位定时器
• FSUSB73 - 高速USB 2.0开关/多路复用器
• FQA44N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300V, 43.5A, 69mΩ
• HUF75344G3 - 55 V、75 A、8 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
• FCPF16N60 - 600V N-Channel SuperFET
• P6KE300CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDPF18N20FT - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V, 18A, 140mΩ
• FDB2572 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 150V，29A，54mΩ
• FDD6690A - 30V N沟道PowerTrench MOSFET