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HGTG20N60B3D - 600V, PT IGBT
HGTG20N60B3D是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG20N60B3D是600V, PT IGBT，本站介绍了HGTG20N60B3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG20N60B3D相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGTG20N60B3D - 600V, PT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGTG20N60B3D - 产品描述
HGTG20N60B3D是一款三代MOS门控高压开关器件，它充分融合了MOSFET和双极晶体管的最佳功能。这些器件具备MOSFET的高输入阻抗特性以及双极型晶体管的低导通损耗特性。低得多的导通压降仅在25°C到150°C之间适度变化。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如：AC和DC电机控制，电磁阀、继电器和接触器的电源和驱动器。
HGTG20N60B3D - 产品特性
- 40A、600 V，TC=25°C
- 典型下降时间： 150°C 时为 140 ns
- 短路额定值
- 低导通损耗
- 超快反向并联二极管
HGTG20N60B3D - 产品应用
- 其他工业
以下列出了HGTG20N60B3D相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGTG20N60B3D | 不推荐新设计使用截至2009年12月07日-ROHS：截至2013年8月 |
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