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HGTP12N60C3D - 600V, UFS IGBT
HGTP12N60C3D是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTP12N60C3D是600V, UFS IGBT，本站介绍了HGTP12N60C3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTP12N60C3D相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGTP12N60C3D - 600V, UFS IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGTP12N60C3D - 产品描述
此MOS栅极高压开关器件系列充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。低得多的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。使用的IGBT是开发类型TA49123。反平行与IGBT中使用的二极管是开发类型TA49188。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49182。
HGTP12N60C3D - 产品特性
- 24 A、600 V，需 TC = 25°C
- TJ = 150°C 时的典型下降时间................210 ns
- 短路额定值
- 低导通损耗
- 超快速反并联二极管
HGTP12N60C3D - 产品应用
- 其他工业
以下列出了HGTP12N60C3D相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGTP12N60C3D | 不推荐新设计使用截至2012年1月06日符合RoHS标准截至2006年2月27日 |
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