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Fairchild产品 - HGTP5N120BND介绍

HGTP5N120BND - 1200V, NPT IGBT

HGTP5N120BND是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGTP5N120BND是1200V, NPT IGBT，本站介绍了HGTP5N120BND的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTP5N120BND相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGTP5N120BND - 1200V, NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGTP5N120BND - 产品描述

HGTP5N120BND基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、光伏逆变器和电机控制。

HGTP5N120BND - 产品特性
  • 10A, 1200V @ TC = 110°C
  • 低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A
  • 典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTP5N120BND - 产品应用

    • 不间断电源

    以下列出了HGTP5N120BND相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTP5N120BND不推荐新设计使用截至2013年12月19日符合RoHS标准截至2006年2月27日替代部件:FGH15T120SMD_F155$1.62
    PCHG5N120BNW量产（特殊订单）-ROHS不适用
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