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Fairchild产品 - HUF75639S_F085A介绍

HUF75639S_F085A - 100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET Trench

HUF75639S_F085A是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，HUF75639S_F085A是100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET Trench，本站介绍了HUF75639S_F085A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HUF75639S_F085A相关的Fairchild元器件型号供参考。

HUF75639S_F085A - 100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET Trench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

HUF75639S_F085A - 产品描述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

HUF75639S_F085A - 产品特性
  • 56 A，100 V
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS额定值曲线
  • 相关文献
    • TB334，“PC 板焊接表面贴装组件指南”
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HUF75639S_F085A - 产品应用
    以下列出了HUF75639S_F085A相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HUFA75639S3ST_F085A量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.17
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