MM74HCT540和MM74HCT5413态缓冲器采用先进的硅栅极CMOS技术，是通用型高速反相和同相缓冲器。它们具有高驱动电流输出，即使在驱动大型总线电容时也能实现高速运行。这些电路速度堪比低功率肖特基器件，同时又能保持CMOS的低功耗。两款器件都兼容TTL输入，并具有15个LS-TTL等效输入的扇出。MM74HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外，这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件，而且可用于降低现有设计的功耗。MM74HCT540是反相缓冲器，MM74HCT541是同相缓冲器。3态控制栅极作为2输入NOR运行，因此当G1#或G2#为高电平时，所有八个输出都会处于高阻抗状态。MM74HCT540和MM74HCT541采用输入和输出位于封装相反两端的引脚排列方式，以改进PC板布局。所有输入通过连接至VCC和接地的二极管加以保护，以免因静电放电而受损。

• 兼容TTL输入
• 典型传播延迟： 12 ns
• 3态输出用于连接系统总线
• 低静态电流： 80 μA
• 输出电流： 6 mA（最小值）

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
MM74HCT541MTC	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.144
MM74HCT541WM	量产-ROHS：截至2015年12月	$0.226
MM74HCT541MTCX	量产-ROHS：截至2011年8月	$0.158
MM74HCT541WMX	量产-ROHS：截至2015年12月	$0.226

• FQPF85N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V, 53A, 10mΩ
• FQB7P20 - P 沟道 QFET MOSFET -200V, -7.3A, 690mΩ
• FCH76N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 76A, 36mΩ
• FDPF39N20TLDTU - N 沟道 UniFET MOSFET 200 V，39 A，66 mΩ
• FDMS86152 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET
• MM74HC08 - 四路2输入AND门
• FDP7030BL - N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
• BC860 - PNP外延硅晶体管
• FSDM07652RB - 用于 70 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• KSH3055 - NPN外延硅晶体管