NC7SP86是飞兆超低功率(ULP)TinyLogic系列的一个2输入“异或”门。适用于电池使用寿命至关重要的应用，此产品专为0.9V至3.6VVCC的VCC工作范围内的超低功耗而设计。内部电路由最小量的反相器层级组成（包括输出缓冲器），以实现超低静态和动态功率。NC7SP86（适合于较低的驱动需求）设计独特，可优化功率和速度，而且是采用先进的CMOS技术制造，以实现同类最佳的高速操作，同时保持极低的CMOS功耗。

• 0.9V至3.6V VCC电源操作范围
• VCC为0.9 V至3.6 V时，耐过压I/O为3.6 V
• tPD3.0 ns典型值，3.0V至3.6V VCC4.0 ns典型值，2.3V至2.7V VCC5.0 ns典型值，1.65V至1.95V VCC6.0 ns典型值，1.40V至1.60V VCC9.0 ns典型值，1.10V至1.30V VCC26.0 ns典型值，0.90V VCC
• 断电高阻抗输入和输出
• 静态驱动(IOH/IOL)3.00V VCC时±2.6 mA、2.30V VCC时，±2.1 mA、1.65V VCC时±1.5 mA、1.40V VCC±1.0 mA、1.10V VCC时±0.5 mA、0.9V VCC时±20 μA
• 使用专有Quiet Series 噪声/电磁干扰(EMI)消减电路
• 超小型MicroPak 无引线封装
• 超低动态功率

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NC7SP86L6X	量产-ROHS：截至2010年4月	$0.138
NC7SP86P5X	量产-ROHS：截至2010年12月	$0.0913

• FDD8778 - 25V N沟道PowerTrench MOSFET
• SMBJ9V0A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDP083N15A - 150V、117A、8.3mΩ、N沟道PowerTrenchMOSFET
• MMBT100 - NPN通用放大器
• S1MFL - 表面通用整流器
• FCH47N60NF - N 沟道 SupreMOS FRFET MOSFET 600V, 45.8A, 65mΩ
• 74LCX125 - 带5V容差输入和输出的低电压收发器/寄存器
• FQU1N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V, 1A, 11.5Ω
• FCH35N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 35A, 98mΩ
• P6KE300CA - 600W瞬态电压抑制二极管