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Fairchild产品 - NDB6030PL介绍

NDB6030PL - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

NDB6030PL是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDB6030PL是P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDB6030PL的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDB6030PL相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDB6030PL - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDB6030PL - 产品描述

这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的DC/DC转换器和高效率开关电路等低电压应用。

NDB6030PL - 产品特性
  • -30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。
  • 在高温下额定的临界DC电气参数。
  • 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  • 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
  • 175°C最大结温额定值。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDB6030PL - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDB6030PL相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDB6030PL量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.71
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