这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• 75 A，60 V。 RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS= 10 V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDP7060	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$3.28

• FCB36N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 25A, 125mΩ
• MOC3033M - 6引脚DIP 250V过零触发可控硅驱动器输出光电耦合器
• FDS89161 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
• HUF75645S3S - 100 V、75 A、14 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
• FDMC86139P - -100 V P 沟道 PowerTrench MOSFET
• MMBF4392 - N沟道开关
• NDP6020P - -20V P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• FDMQ8203 - 100V 双N沟道和双P沟道PowerTrench MOSFET GreenBridge系列高效桥式整流器
• 1N5245B - 15V、0.5W齐纳二极管
• MMSZ5248B - 18V、0.5W齐纳二极管