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Fairchild产品 - NDT3055介绍

NDT3055 - N沟道增强模型场效应晶体管

NDT3055是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDT3055是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了NDT3055的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDT3055相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDT3055 - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDT3055 - 产品描述

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

NDT3055 - 产品特性
  • 4 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS= 10 V。
  • 高密度设计可实现极低的RDS(ON)。
  • 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDT3055 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDT3055相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDT3055量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.65
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