这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

• 4 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 4.5 V。
• 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2V。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDT3055L	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.65

• FAN7391 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容，4.5/4.5 A 灌电流/源电流，包含先进输入滤波器的高低端栅极驱动 IC
• FAN3121C - CMOS 输入、单通道同相输入、11.4 A 峰值灌电流、10.6 A 源电流低端栅极驱动器
• HUFA75645S3S - 100 V、75 A、14 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
• BSS138W - 50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• FAN7384 - 625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容、0.5/0.25 A 灌电流/源电流、具有固定死区时间和 OCP/关断保护的半桥式栅极驱动
• FJX3007R - 带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管
• FDP10N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 10A, 750mΩ
• FQPF3N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 3A, 4.8Ω
• FSBB20CH60CT - Motion SPM 3 系列
• MMBT5087 - PNP通用放大器